AL-2000国产离子束研磨仪主要技术参数
1. 原装国产离子束研磨仪一台；
2. *真空系统：旋片机械泵＋涡轮分子泵（半磁悬浮，无需冷却水）；
3. 操作真空度：充氩气前，5×10-3Pa数量级；
4. 空载轰击电压：0KV～10KV连续可调；
5. 研磨速度：选铜材料为母样，速率每小时不小于50微米；
6. *双离子源，安装角度可按要求变换180度、90度（也可定制角度）；
7. 离子枪最大束流密度150μA；
8. 可实现离子枪与样品夹角0°～360°；
9. 样品台旋转角度：可任意设定摆动角度 ；
10. 样品台两种：标配截面与平面可调样品台各一套，截面样品档片有钼或钛两种材料，样品尺寸Φ25mm×30mm（h）；
11. 抽气速率：从大气到工作状态不高于3分钟；
12. *半导体制冷台：工作时样品台可同时旋转，室温～-30℃；
13. 采用高导热导电性石墨导热片精加工工艺（专利号：201610603398.7）生产的导热片，极大的增强了真空中的导热效率；从而使得半导体旋转制冷台在旋转工作时的温度可以达到-30℃；
14. 选配件：液氮冷台：室温～-150℃；
15. 监测系统：实时数字化光学观察系统；
16. *自主研发基于UBUNTU开源操作系统下全数字化嵌入式控制系统，具有完全的自主知识产权；
17. *工作时可以采用离子束能量多段自动控制，可以自动按不同能量进行样品粗研磨及精密研磨。
AL-2000离子刻蚀抛光
IONBEAM Ion Pricision Etching & Polishing System
一、AL-2000离子刻蚀抛光仪简介
AL-2000离子刻蚀抛光仪通过离子束加工手段来加工样品，能够使研究人员获得材料的晶间取向、相辨别和晶粒尺寸测量等完整的分析数据，该系统加工的样品表面能获得采用其它加工方法很难获得的样品质量，采用该方法还能有效的去掉机械抛光所形成的表面畸变原子层或化学抛光法形成的表面膜，便于研究人员得到真实的样品表面信息，提高研究成果的可信度；AL-2000可以对几乎所有的固体材料进行加工，包括多元素组成的样品、对不同硬度、尺寸、合金、高分子材料、矿物、半导体材料、陶瓷，用AL-2000制备的SEM样品表面更加反映样品的实际情况。
二、AL-2000离子刻蚀抛光仪产品特点：
AL-2000的离子刻蚀抛光加工设备可以通过调整参数实现离子体加工及离子注入、刻蚀加工，通过样品台、离子源、控制系统的选择来完成等离子清洗抛光、离子减薄、离子注入,加装三轴数控系统，可以实现离子数控铣的功能。
三、AL-2000离子刻蚀抛光仪的特点：
1、加工面积大：样品尺寸：标准尺寸0~Ø25毫米，支持用户定制尺寸。
2、样品表面更均匀。
3、对于薄膜样品通过离子束加工表面厚度控制精度更高。
4、加工时样品表面能量低，特别对于薄膜、高分子样品（对温度敏感性高的样品）损伤小。
5、可以加工几乎所有固体材料（如各种金属、陶瓷、碳等）。
6、控制精度高，实验结果精准可控重复性高。
7、在同一真空腔内，可实现清洗达到降低污染样品造成的数据偏差。
8、加入特殊气体，可进行反应离子束刻蚀。
9、可实现的功能有：等离子清洗、抛光、离子刻蚀、EBSD样品制备等。
10、 采用物理方法进行样品微观制备，区别于使用湿化学腐蚀方法。
11、 业界独有半导体制冷；半导体制冷技术采用本公司发明专利研制的900W导热垫，核心真空大面积半导体制冷技术，操作维护方便，使用成本低，能满足绝大多数冷却条件下的离子研磨。
12、 可选装液氮制冷组件，能实现 – 150 °C 低温环境下的研磨切割。
四、AL-2000离子刻蚀抛光仪技术参数：
离子刻蚀抛光腔体（左右对称离子源） 3D图
（根据客户需求可选配90°双离子源）
1、 真空度：极限真空度5*10-3Pa
2、 *高压电源：（1）0~6000V （低能抛光）
（2）0~10000V （高能刻蚀）
3、 刻蚀抛光离子：氩离子，可选氙离子
4、 氩离子数量：标配2个对角离子源，可扩展到4离子源；
5、 离子束流密度：最大 10 mA/cm2（优于150μA/cm2）
6、 离子束斑尺寸：300μm~500μm；1.5mm~2.5 mm两档，
7、 抛光速度：最大500μm/hr for Silicon（截面或定点刻蚀抛光）；
最大100μm/hr for Silicon （平面刻蚀抛光）
最大10μm/hr for Silicon （平面旋转刻蚀抛光）
8、 样品尺寸：0~Ø25毫米，支持定制
9、 样品刻蚀抛光角度：0°~90°（标准抛光角度0°，其他角度通过机械定位调整角度）
10、 样品台可360°连续旋转，并可按任意角度摆动，转速：6 – 10 rpm。
11、 氩气流量控制：0~10ml/min 可调
12、 换样抽真空时间：2.5分钟，加装快换装置可缩短换样时间到30~60s
13、 具有自保护功能。
14、 系统可选液氮冷台、半导体冷台
15、 半导体制冷台（选配件）：业界独有的半导体制冷；半导体制冷系统采用国际最新研发的900W导热垫，操作维护方便，节约成本。
16、 湿度：<80%
17、 电源电压：220V（±10%）单相，50HZ（±1）
18、 总功率：小于1KW
19、 配备有专业的样品盒与耗材盒
20、 仪器运行的持久性：由于对分子泵、离子源核心技术的升级换代，使得仪器可保持长期连续24小时运行
21、 控制系统采用Ubuntu系统，自主知识产权，系统更稳定。
五、AL-2000离子刻蚀抛光仪主要配置：
1、 真空系统：
机械泵+涡轮分子泵（半磁悬浮技术）
2、 主要部件：
A： 高压电源：采用数字高压电源，具有自动保护功能，电压范围200~10000V,控制精度0.2%
B：流量控制：数字化控制，0~10ml/分钟。
C：真空计：数字真空采集系统。
D: 双离子源：空心阴极离子源，阴极材料由原有不锈钢升级为钼，极大增加了离子束的稳定性与可靠性，使得样品表面更加平整、光洁。
E: 分子泵：采用半磁悬浮技术，抽速更稳定，故障率低。（优于原普通分子泵）
F:截面样品档片：材料由钛升级为钼，使用一个钛档片最多制备两个样品变为钼档片后可以制备6~8个样品，降低的耗材使用成本。
G:半导体制冷台（选配）：普通导热硅脂导热率为4W，不能适用在真空中将热量全部导出；900W为超级导热垫，完全适应真空中快速导热。对比液氮制冷，半导体制冷导热快，成本低，操作方便。半导体制冷的温度范围：室温~-25°C，制冷块规格，4级制冷模组，最大温差107℃，最大电流6A，最大产冷功率10（W）。
H:液氮制冷（选配）：可达到-150℃
3、 控制系统：Ubuntu（AL-900升级为AL-2000的控制系统）
A：*用QT开发的嵌入式控制系统
B：彩色触摸屏
4、 图像采集系统
A、CCD相机(选配)
B、大倍数可调焦距显微镜（选配）
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